MOSFET NTMFS4C025NT1G do poder para aplicações de capacidade elevada da conversão do interruptor e de poder
Number modelo:NTMFS4C025NT1G
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Capacidade da fonte:999999
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
MOSFET NTMFS 4C025NTdo poder1G para aplicações de capacidade elevada da converso do interruptor e de poder
Tipo do FET | ||
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 3.41mOhm @ 30A, 10V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 2.1V @ 250µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 1683 PF @ 15 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 2.55W (Ta), 30.5W (Tc) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
Pacote/caso |
Lista do produto:
Nome do produto: NTMFS4C025NT1G
Fabricante: No semicondutor
Tipo de produto: Eletrônica de poder do MOSFET
Parmetros:
• Tenso da Dreno-fonte (Vdss): 25V
• Tenso da Porta-fonte (Vgs): 20V
• Drene a corrente (identificaço): 4A
• Em-resistência estática da Dreno-fonte (RDS): 0.0055ohm
• Dissipaço de poder (paládio): 2.25W
• Variaço da temperatura de funcionamento: -55°C a +150°C
• Montagem: SMD/SMT
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