Força da energia do N-canal QFET do pacote da eletrônica de poder TO-261-4 do MOSFET de FQT1N60CTF-WS
Number modelo:FQT1N60CTF-WS
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Força da energia do N-canal QFET do pacote da eletrônica de poder TO-261-4 do MOSFET de FQT1N60CTF-WS
Tipo do FET | ||
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 11.5Ohm @ 100mA, 10V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 6,2 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±30V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 170 PF @ 25 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 2.1W (Tc) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | SOT-223-4 | |
Pacote/caso |
Descriço
Este MOSFET do poder do modo do realce de N−Channel é utilizaço produzida na listra planar proprietária do semicondutor e na tecnologia de DMOS. Esta tecnologia avançada do MOSFET foi costurada especialmente para reduzir a resistência do on−state, e para fornecer o desempenho de comutaço superior e a força alta da energia da avalancha. Estes dispositivos so apropriados para fontes de alimentaço comutadas do modo, correço de fator de poder ativo (PFC), e reatores eletrônicos da lmpada.
Características
• 0,2 A, 600 V, RDS (sobre) = 9,3 (tipo.) @ VGS = 10 V,
identificaço = 0,1 A
• Baixa carga da porta (tipo. 4,8 nC)
• Baixo Crss (tipo. 3,5 PF)
• A avalancha 100% testou
• Estes dispositivos so Pb−Free, halogênio Free/BFR livre e so RoHS
complacente
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