Poder de comutação variável do desempenho do interruptor do N-canal do pacote da eletrônica de poder TO-261-4 do MOSFET de FQT7N10LTF
Number modelo:FQT7N10LTF
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Poder de comutaço variável do desempenho do interruptor do N-canal do pacote da eletrônica de poder TO-261-4 do MOSFET de FQT7N10LTF
Tipo do FET | ||
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 350mOhm @ 850mA, 10V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 2V @ 250µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 6 nC @ 5 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 290 PF @ 25 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 2W (Tc) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | SOT-223-4 | |
Pacote/caso |
Descriço
Este MOSFET do poder do modo do realce do N-canal é produzido
usando a listra planar proprietária do semicondutor de Fairchild e
a tecnologia de DMOS. Esta tecnologia avançada do MOSFET foi
costurada especialmente para reduzir a resistência do em-estado, e
para fornecer o desempenho de comutaço superior e a força alta da
energia da avalancha. Estes dispositivos so apropriados para fontes
de alimentaço comutadas do modo, o amplificador audio, o controlo
do motor da C.C., e aplicações de comutaço variáveis do poder.
Características
• 1,7 A, 100 V, mΩ =350 do RDS (sobre) (máximo) @VGS=10 V, ID=0.85
A
• Baixa carga da porta (tipo. 5,8 nC)
• Baixo Crss (tipo. 10 PF) • A avalancha 100% testou
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