General de PowerTrench do Lógica-nível do N-canal do pacote da eletrônica de poder 8-SOIC do MOSFET de FDS6690A único
Number modelo:FDS6690A
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General de PowerTrench do Lógica-nível do N-canal do pacote da eletrônica de poder 8-SOIC do MOSFET de FDS6690A único
Tipo do FET | ||
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 12.5mOhm @ 11A, 10V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 3V @ 250µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 16 nC @ 5 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 1205 PF @ 15 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 2.5W (Ta) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | 8-SOIC | |
Pacote/caso |
Descriço
Este MOSFET do nível da lógica do N-canal é utilizaço produzida no processo avançado do PowerTrench do semicondutor que foi costurado especialmente para minimizar a resistência do em-estado no entanto para manter o desempenho de comutaço superior. Estes dispositivos so bem - serido para a baixa tenso e as aplicações a pilhas onde baixo in-line pôr a perda e o interruptor rápido so exigidos.
Características
• 11 A, mΩ 12,5 de 30 V. RDS (SOBRE) = @ VGS = mΩ 17,0 de 10 V RDS
(SOBRE) = @ VGS = 4,5 V
• Velocidade de comutaço rápida • Baixa carga da porta
• Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente
- o baixo RDS (SOBRE)
• Poder superior e capacidade de manipulaço atual
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