Eletrônica de poder do MOSFET do poder superior de FDD86102LZ Aplicações industriais e aplicações automotivos de alta tensão

Number modelo:FDD86102LZ
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Capacidade da fonte:999999
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Shenzhen China
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Aplicações industriais da eletrônica de poder do MOSFET do poder superior de FDD86102LZ e aplicações automotivos de alta tenso

 

 

Tipo do FET
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene tenso da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs
22.5mOhm @ 8A, 10V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @
3V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
1540 PF @ 50 V
Característica do FET
-
Dissipaço de poder (máxima)
3.1W (Ta), 54W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
TO-252AA
Pacote/caso
 
 

Lista do produto:

No MOSFET do poder do N-canal do semicondutor FDD86102LZ

No semicondutor FDD86102LZ é um MOSFET de capacidade elevada do poder do N-canal. Caracteriza a baixa em-resistência para as aplicações de comutaço de grande eficacia.

 

Características:
• Baixa em-resistência
• Velocidade de comutaço rápida
• Capacidade atual máxima alta
• A alta tenso suporta a capacidade
• RoHS complacente

 

Especificações:
• Tenso da Dreno-fonte: 100 V
• Tenso da Porta-fonte: ±20 V
• Drene atual: 75 A
• Em-resistência da Dreno-fonte: mΩ 4,2
• Carga da porta: 45 nC
• Dissipaço de poder: 320 W
• Variaço da temperatura de funcionamento: -55°C a +150°C

 

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Eletrônica de poder do MOSFET do poder superior de FDD86102LZ Aplicações industriais e aplicações automotivos de alta tensão

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