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Aplicações industriais da eletrônica de poder do MOSFET do poder superior de FDD86102LZ e aplicações automotivos de alta tenso
Tipo do FET | ||
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 22.5mOhm @ 8A, 10V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 3V @ 250µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 1540 PF @ 50 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 3.1W (Ta), 54W (Tc) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-252AA | |
Pacote/caso |
Lista do produto:
No MOSFET do poder do N-canal do semicondutor FDD86102LZ
No semicondutor FDD86102LZ é um MOSFET de capacidade elevada do poder do N-canal. Caracteriza a baixa em-resistência para as aplicações de comutaço de grande eficacia.
Características:
• Baixa em-resistência
• Velocidade de comutaço rápida
• Capacidade atual máxima alta
• A alta tenso suporta a capacidade
• RoHS complacente
Especificações:
• Tenso da Dreno-fonte: 100 V
• Tenso da Porta-fonte: ±20 V
• Drene atual: 75 A
• Em-resistência da Dreno-fonte: mΩ 4,2
• Carga da porta: 45 nC
• Dissipaço de poder: 320 W
• Variaço da temperatura de funcionamento: -55°C a +150°C