FDD3672 - Transistor do MOSFET do poder superior para aplicações avançadas da eletrônica de poder

Number modelo:FDD3672
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Capacidade da fonte:999999
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Shenzhen China
Endereço: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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FDD3672 - Transistor do MOSFET do poder superior para aplicações avançadas da eletrônica de poder

 

 

Tipo do FET
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene tenso da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs
28mOhm @ 44A, 10V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @
4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
1710 PF @ 25 V
Característica do FET
-
Dissipaço de poder (máxima)
135W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
TO-252AA
Pacote/caso
 
 

Lista do produto:

No semicondutor FDD3672 - MOSFET do poder do N-canal

O FDD3672 é um MOSFET do poder do N-canal fabricado perto no semicondutor. Oferece a dissipaço de poder excelente, a baixa carga da porta e a velocidade de comutaço rápida.

 

Características:
• tenso de diviso da dreno-fonte 100V
• Corrente contínua máxima do dreno de 10.2A
• Baixa carga da porta: Qg = 16nC típico
• Resistência máxima do em-estado da dreno-fonte de 0.48Ω
• Energia interna da avalancha avaliada em EAS = 7.3mJ
• Temperatura de junço de funcionamento máxima de 175°C
• Carga média da porta: Qg = 16nC típico
• Velocidade de comutaço rápida: TD (sobre) = 10ns típico
• Pacote sem chumbo, RoHS-complacente

 

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FDD3672 - Transistor do MOSFET do poder superior para aplicações avançadas da eletrônica de poder

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