Velocidade de comutação rápida do general do MOSFET 30V de PowerTrench® do N-canal do pacote da eletrônica de poder TO-252-3 do MOSFET FDD8880
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Velocidade de comutaço rápida do general do MOSFET 30V de PowerTrench® do N-canal do pacote da eletrônica de poder TO-252-3 do MOSFET FDD8880
Tipo do FET | ||
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 9mOhm @ 35A, 10V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 2.5V @ 250µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 31 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 1260 PF @ 15 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 55W (Tc) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-252AA | |
Pacote/caso |
Descriço
Este MOSFET do N-canal foi projetado especificamente melhorar a eficiência total de conversores de DC/DC usando controladores síncronos ou convencionais do interruptor PWM. Foi aperfeiçoado para a baixa carga da porta, baixo r DS (EM) e a velocidade de comutaço rápida.
Características
• r DS (SOBRE) = 9mΩ, V GS = 10V, identificaço = 35A
• r DS (SOBRE) = 12mΩ, V GS = 4.5V, I D = 35A
• Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente
- baixo r DS (SOBRE)
• Baixa carga da porta
• Poder superior e máximo de manipulaço atual do MOSFET da
capacidade
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Velocidade de comutação rápida do general do MOSFET 30V de PowerTrench® do N-canal do pacote da eletrônica de poder TO-252-3 do MOSFET FDD8880
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