Laptop de PowerTrench®in do P-canal do pacote da eletrônica de poder 8-SOIC do MOSFET de FDS6675BZ
Number modelo:FDS6675BZ
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Laptop de PowerTrench®in do P-canal do pacote da eletrônica de poder 8-SOIC do MOSFET de FDS6675BZ
Tipo do FET | ||
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 13mOhm @ 11A, 10V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 3V @ 250µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 62 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±25V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 2470 PF @ 15 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 2.5W (Ta) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | 8-SOIC | |
Pacote/caso |
Descriço geral
Este MOSFET do P-canal é utilizaço producted no processo avançado
do PowerTrench do semicondutor que tem
costurado especialmente para minimizar a resistência do em-estado.
Este dispositivo é bem - serido para a gesto do poder e as
aplicações de comutaço da carga comuns nos laptop
e blocos portáteis da bateria.
Características
RDS máximo (sobre) = 13mΩ em VGS = -10V, identificaço = -11A
RDS máximo (sobre) = 21.8mΩ em VGS = -4.5V, identificaço = -9A
Escala prolongada de VGS (- 25V) para aplicações da bateria
Nível da proteço de HBM ESD de 5,4 quilovolts típico (nota 3)
Hnology técnico da trincheira do elevado desempenho para
extremamente - o baixo RDS (sobre)
Poder superior e capacidade entregando atual
RoHS complacente
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