FDMC610P MOSFET Power Electronics 8-PowerTDFN Package corpo diodo reverso desempenho de recuperação P-Channel
Number modelo:FDMC610P
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FDMC610P MOSFET Eletrônica de Potência
8-PowerTDFN Package corpo diodo reverso desempenho de recuperaço P-Channel
Tipo FET | ||
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2,5 V, 4,5 V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3,9mOhm @ 22A, 4,5V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 99 nC @ 4,5 V | |
Vgs (Máx.) | ±8V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 6 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 2,4 W (Ta), 48 W (Tc) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | Power33 |
Características
Max rDS(on) = 3,9 mΩ em VGS = -4,5 V, ID = -22 A
Max rDS(on) = 6,4 mΩ em VGS = -2,5 V, ID = -16 A
Desempenho de comutaço de última geraço
Menor capacitncia de saída, resistência de porta e eficiência de
aumento de carga de porta
A tecnologia de porto blindado reduz o toque do nó do switch e
aumenta a imunidade a EMI e conduço cruzada Compatível com RoHS
Descriço geral
Este MOSFET P-Channel foi projetado especificamente para melhorar a eficiência geral e minimizar o toque do nó de comutaço de conversores DC/DC usando controladores PWM de comutaço síncronos ou convencionais.Ele foi otimizado para baixa carga de gate, baixo rDS(on), velocidade de comutaço rápida e desempenho de recuperaço reversa do diodo do corpo.
Formulários
Comutaço de lado alto para computaço de ponta
Conversor buck síncrono DC-DC de alta densidade de potência
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eletrônicos. Nossas filiais incluem China, Hong Kong, Sigapore,
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FDMC610P MOSFET Power Electronics 8-PowerTDFN Package corpo diodo reverso desempenho de recuperação P-Channel
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