FDMC86570L MOSFET Eletrônica de Potência N-Channel Shield Gate POWERTRENCH 60 V DC-DC Conversão
Number modelo:FDMC86570L
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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FDMC86570L MOSFET Eletrônica de Potência
Porta Blindada Canal N POWERTRENCH 60 V DC-DC Converso
Tipo FET | ||
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4,3mOhm @ 18A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6705 pF @ 30 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 2,3W (Ta), 54W (Tc) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | Power33 | |
Pacote / Estojo |
Descriço geral
Este MOSFET N-Channel é produzido usando o processo POWERTRENCH avançado da onsemi que incorpora a tecnologia Shielded Gate.Este processo foi otimizado para a resistência no estado ligado e ainda mantém um desempenho de comutaço superior.
Características
• Tecnologia MOSFET de porto blindado
• Max rDS(on) = 4,3 m em VGS = 10 V, ID = 18 A
• Max rDS(on) = 6,5 m em VGS = 4,5 V, ID = 15 A
• Tecnologia de alto desempenho para rDS(on) extremamente baixo
• Esses dispositivos so livres de Pb e so aplicativos compatíveis
com RoHS
• Converso DC-DC
Por que comprar de nós >>> Rápido / Seguro / Conveniente
• A SKL é uma empresa de estoque e comércio de componentes
eletrônicos. Nossas filiais incluem China, Hong Kong, Sigapore,
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FDMC86570L MOSFET Eletrônica de Potência N-Channel Shield Gate POWERTRENCH 60 V DC-DC Conversão
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