Características
• 19 A, 200 V, RDS(ligado) = 170 mΩ (Máx.) @ VGS = 10 V,
DI = 9,5 A
• Baixa carga de porto (Typ. 40,5 nC)
• Baixo Crss (Typ. 85 pF)
• 100% testado em avalanche

Descriço
Este MOSFET de potência do modo de aprimoramento N-Channel é produzido usando a tecnologia DMOS e fita planar proprietária da Fairchild Semiconductor.Esta avançada tecnologia MOSFET foi especialmente adaptada para reduzir a resistência no estado e para fornecer desempenho de comutaço superior e alta força de energia de avalanche.Esses dispositivos so adequados para fontes de alimentaço de modo comutado, correço do fator de potência ativa (PFC) e reatores de lmpadas eletrônicas.

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Serviço >>>
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• Tentaremos responder o mais rápido possível.Porém, devido diferença de fuso horário, aguarde até 24 horas para que seu e-mail seja respondido.Os produtos foram testados por alguns dispositivos ou software, garantimos que no haja problemas de qualidade.
• Estamos empenhados em fornecer um serviço de transporte rápido, conveniente e seguro para compradores globais.

Dreno para Tenso da Fonte (Vdss)	200 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	19A (Tc)
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170mOhm @ 9,5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	53 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)	±30V
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1080 pF @ 25 V
Recurso FET	-
Dissipaço de energia (máx.)	43W (Tc)
Temperatura de operaço	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Através do orifício
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-220F-3
Pacote / Estojo	TO-220-3 Pacote Completo

FQPF19N20C MOSFET Power Electronics N-Channel Package TO-220 adequado para fontes de alimentação de modo comutado

FQPF19N20C MOSFET Power Electronics N-Channel Package TO-220 adequado para fontes de alimentação de modo comutado

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