FDP18N50 MOSFET Power Electronics N-Channel UniFETTM Package TO-220 switching power converter applications

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FDP18N50 MOSFET Power Electronics N-Channel UniFETTMPacote TO-220aplicações do conversor de energia de comutaço

Canal N PowerTrench

Canal P QFET® MOSFET

-60 V, -12 A, 135
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
265mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)
±30V
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2860 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipaço de energia (máx.)
235W (Tc)
Temperatura de operaço
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo

Características
• RDS(on) = 220 mΩ (Típico) @ V GS = 10 V, ID = 9 A
• Baixa carga de porto (Típico. 45 nC)
• Baixo C rss (Typ. 25 pF)
• 100% testado em avalanche


Formulários
• TV LCD/LED/PDP
• Iluminaço
• Fonte de energia ininterrupta


Descriço
UniFET TM MOSFET é a família MOSFET de alta voltagem da Fairchild Semiconductor baseada na tecnologia DMOS e listra planar.
Este MOSFET é adaptado para reduzir a resistência no estado e para fornecer melhor desempenho de comutaço e maior força de energia de avalanche.Esta família de dispositivos é adequada para alternar aplicações de conversor de energia, como correço do fator de potência (PFC), potência de TV de tela plana (FPD), ATX e reatores de lmpadas eletrônicas.



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