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FDP18N50 MOSFET Power Electronics N-Channel UniFETTMPacote TO-220aplicações do conversor de energia de comutaço
Canal N PowerTrench
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 265mOhm @ 9A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±30V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2860 pF @ 25 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 235W (Tc) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220-3 | |
Pacote / Estojo |
Características
• RDS(on) = 220 mΩ (Típico) @ V GS = 10 V, ID = 9 A
• Baixa carga de porto (Típico. 45 nC)
• Baixo C rss (Typ. 25 pF)
• 100% testado em avalanche
Formulários
• TV LCD/LED/PDP
• Iluminaço
• Fonte de energia ininterrupta
Descriço
UniFET TM MOSFET é a família MOSFET de alta voltagem da Fairchild
Semiconductor baseada na tecnologia DMOS e listra planar.
Este MOSFET é adaptado para reduzir a resistência no estado e para
fornecer melhor desempenho de comutaço e maior força de energia de
avalanche.Esta família de dispositivos é adequada para alternar
aplicações de conversor de energia, como correço do fator de
potência (PFC), potência de TV de tela plana (FPD), ATX e reatores
de lmpadas eletrônicas.