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Canal N PowerTrench
Tipo FET | ||
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 22A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4,5V @ 4,4mA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±30V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3090 pF @ 400 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 312W (Tc) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | D²PAK (TO-263) | |
Pacote / Estojo |
Descriço
O MOSFET SUPERFET III é a novíssima família MOSFET de superjunço
(SJ) de alta tenso da ON Semiconductor que está utilizando a
tecnologia de balanceamento de carga para excelente desempenho de
baixa resistência e carga de gate.Esta tecnologia avançada é
adaptada para minimizar a perda de conduço, fornecer desempenho de
comutaço superior e
suportar taxa dv/dt extrema.Consequentemente, o SUPERFET III MOSFET
é muito adequado para várias conversões de energia CA/CC para
miniaturizaço do sistema e maior eficiência.
Características
• 700 V @ TJ = 150°C
• RDS(ligado) = 62 m (Típico)
• Carga de porto ultra baixa (Typ. Qg = 78 nC)
• Capacitncia de saída efetiva baixa (Typ. Coss(eff.) = 715 pF)
• 100% testado em avalanche
• Esses dispositivos so livres de Pb e so compatíveis com RoHS
Formulários
• Fontes de alimentaço de telecomunicações/servidor
• Fontes de alimentaço industriais
• UPS / Solar