Interruptor da carga do nível 60V da lógica do P-canal do pacote da eletrônica de poder SuperSOT™-6 do MOSFET de FDC5614P
Number modelo:FDC5614P
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Eletrônica de poder do MOSFET de FDC5614P
Interruptor da carga do nível 60V da lógica do P-canal do pacote SuperSOT™-6
Estado do produto | Ativo | |
Tipo do FET | ||
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 105mOhm @ 3A, 10V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 3V @ 250µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 759 PF @ 30 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 1.6W (Ta) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | SuperSOT™-6 | |
Pacote/caso | ||
Número baixo do produto |
Descriço
Este MOSFET de 60 V P−Channel usa o processo de alta tenso do
POWERTRENCH dos onsemi. Foi aperfeiçoado para o poder
aplicações da gesto.
Características
• −3 A, −60 V
* RDS (sobre) = 0,105 @ VGS = −10 V
* RDS (sobre) = 0,135 @ VGS = −4.5 V
• Velocidade de comutaço rápida
• Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente
- o baixo RDS (sobre)
• Este é um dispositivo livre de Pb−Free e de alogenuro
Aplicações
• Conversores de DC−DC
• Interruptor da carga
• Poder Managemen
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