Reatores eletrônicos da lâmpada da força do de alta energia do N-canal do pacote da eletrônica de poder SOT-223-4 do MOSFET de FQT4N20LTF
Number modelo:FQT4N20LTF
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Eletrônica de poder do MOSFET de FQT4N20LTF
Reatores eletrônicos da lmpada da força do de alta energia do N-canal do pacote SOT-223-4
E tipo | ||
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 1.35Ohm @ 425mA, 10V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 2V @ 250µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 5,2 nC @ 5 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 310 PF @ 25 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 2.2W (Tc) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | SOT-223-4 | |
Pacote/caso |
Este MOSFET do poder do modo do realce do N-canal é produzido usando a listra planar proprietária de Fairchild Semiconductor® e a tecnologia de DMOS. Esta tecnologia avançada do MOSFET foi costurada especialmente para reduzir a resistência do em-estado, e para fornecer o desempenho de comutaço superior e a força alta da energia da avalancha. Estes dispositivos so apropriados para fontes de alimentaço comutadas do modo, correço de fator de poder ativo (PFC), e reatores eletrônicos da lmpada.
Características
• 0,85 A, 200 V, Ω =1.35 do RDS (sobre) (tipo.) @VGS=10 V, ID=0.425
A
• Baixa carga da porta (tipo. 4 nC) • Baixo Crss (tipo. 6 PF)
• MOSFET testado avalancha 100% 200 V do ® do N-canal QFET, 0,85 A, descriço 1,40 do Ω
• Movimentaço de baixo nível Requirments da porta permitindo a operaço direta das movimentações da lógica.
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