Correção lateral secundária das telecomunicações do N-canal 30V 22A 5.0mΩ do pacote da eletrônica de poder 8-PQFN do MOSFET de FDMS0312AS

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Eletrônica de poder 8-PQFN do MOSFET de FDMS0312AS

Correço lateral secundária das telecomunicações do N-canal 30V 22A 5.0mΩ do pacote

 

 

 
Estado do produto
Ativo
Tipo do FET
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene tenso da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs
5mOhm @ 18A, 10V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @
3V @ 1mA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
1815 PF @ 15 V
Característica do FET
-
Dissipaço de poder (máxima)
2.5W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
8-PQFN (5x6)
Pacote/caso

 

 

 

 

Características


MΩ 5,0 máximo do RDS (sobre) = em VGS = 10 V, identificaço = 18 A
MΩ 6,2 máximo do RDS (sobre) = em VGS = 4,5 V, identificaço = 16 A
Pacote e Silic avançados no íon do combinat para baixo r DS (sobre) e diodo do corpo de SyncFET Schottky da eficiência elevada?? Projeto de pacote MSL1 robusto?? 100% UIL testou
RoHS complacente

 


Descriço geral

 


O FDMS0312AS foi projetado minimizar perdas na aplicaço da converso de poder. Os avanços em tecnologias do silicone e do pacote forem combinados para oferecer o mais baixo RDS (sobre) quando desempenho excelente de manutenço do interruptor. Este dispositivo tem o benefício adicionado de um diodo monolítico eficiente do corpo de Schottky.

 

 

 

Aplicações

 

 

Retificador síncrono para conversores de DC/DC

Baixo interruptor lateral do caderno Vcore/GPU

Ponto dos trabalhos em rede do baixo interruptor lateral da carga

Correço lateral secundária das telecomunicações

 

 

 

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Correção lateral secundária das telecomunicações do N-canal 30V 22A 5.0mΩ do pacote da eletrônica de poder 8-PQFN do MOSFET de FDMS0312AS

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