Vasta gama do P-canal 2.5V do pacote da eletrônica de poder 8-SOIC do MOSFET FDS6375 de tensão da movimentação da porta
Number modelo:FDS6375
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Vasta gama do P-canal 2.5V do pacote da eletrônica de poder 8-SOIC do MOSFET FDS6375 de tenso da movimentaço da porta
Tipo do FET | ||
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 24mOhm @ 8A, 4.5V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 1.5V @ 250µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 36 nC @ 4,5 V | |
Vgs (máximo) | ±8V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 2694 PF @ 10 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 2.5W (Ta) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | 8-SOIC | |
Pacote/caso |
Descriço geral
Este P-canal 2.5V especificou o MOSFET é uma verso áspera da porta
de processo avançado do PowerTrench do semicondutor de Fairchild.
Foi aperfeiçoado para aplicações da gesto do poder com uma vasta
gama da tenso da movimentaço da porta (2.5V – 8V).
Aplicações
· Gesto do poder
· Interruptor da carga
· Proteço da bateria
Características
· – 8 A, – 20 V. RDS (SOBRE) = 24 mW @ VGS = – 4,5 V RDS (SOBRE) = 32 mW @ VGS = – 2,5 V
· Baixa carga da porta (26 nC típicos)
· Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente - o baixo RDS (SOBRE)
· Corrente alta e poder que seguram a capacidade
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