N-canal 60 V 46 A da eletrônica de poder do MOSFET de NTD5865NLT4G pacote TO-252 de 16 m

Number modelo:NTD5865NLT4G
Lugar de origem:Original
Quantidade de ordem mínima:1
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Capacidade da fonte:999999
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Shenzhen China
Endereço: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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N-canal 60 V 46 A da eletrônica de poder do MOSFET de NTD5865NLT4G pacote TO-252 de 16 m

 

Drene tenso da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs
16mOhm @ 20A, 10V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @
2V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
1400 PF @ 25 V
Característica do FET
-
Dissipaço de poder (máxima)
71W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
DPAK
Pacote/caso

 

 

Características
• Baixa carga da porta
• Interruptor rápido
• Capacidade atual alta
• A avalancha 100% testou
• Estes dispositivos so Pb−Free, halogênio livre e so RoHS complacente

 

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