A eletrônica de poder 8-SOIC do MOSFET FDS4685 empacota aplicações da gestão do poder do P-canal 40V
Number modelo:FDS4685
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A eletrônica de poder 8-SOIC do MOSFET FDS4685 empacota aplicações da gesto do poder do P-canal 40V
Tipo do FET | ||
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 27mOhm @ 8.2A, 10V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 3V @ 250µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 27 nC @ 5 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 1872 PF @ 20 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 2.5W (Ta) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | 8-SOIC | |
Pacote/caso |
Características
■– 8,2 A, – 40 V RDS (SOBRE) = 0,027 Ω @ VGS = – 10 V RDS (SOBRE) =
0,035 Ω @ VGS = – 4,5 V
■Velocidade de comutaço rápida
■Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente -
o baixo RDS (SOBRE)
■Poder superior e capacidade de manipulaço atual
Aplicações
■Gesto do poder
■Interruptor da carga
■Proteço da bateria
Descriço geral
Este MOSFET do P-canal é uma verso áspera da porta em processo
avançado do PowerTrench do semicondutor. Foi
aperfeiçoado para as aplicações da gesto do poder que exigem uma
vasta gama das avaliações da tenso da movimentaço da porta (4.5V –
20V).
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