Pacote da eletrônica de poder TO-252AA do MOSFET de FCD2250N80Z MOSFET 800V 2.6A de SuperFET® II do N-canal
Number modelo:FCD2250N80Z
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Eletrônica de poder do MOSFET de FCD2250N80Z
MOSFET 800V 2.6A de SuperFET® II do N-canal do pacote de TO-252AA
Tipo do FET | ||
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 2.25Ohm @ 1.3A, 10V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 4.5V @ 260µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 585 PF @ 100 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 39W (Tc) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-252AA | |
Pacote/caso |
Características
• 1,8 Typ do RDS (sobre) =.)
• Carga ultra baixa da porta (tipo. Qg = 11 nC)
• Baixo Eoss (tipo. 1,1 uJ @ 400V)
• Baixa capacidade de saída eficaz (tipo. Coss (EFF.) = 51 PF)
• A avalancha 100% testou
• RoHS complacente
• O ESD melhorou aplicações da capacidade
• C.A. - fonte de alimentaço de DC • Iluminaço do diodo emissor de
luz
Descriço
O MOSFET de SuperFET® II é família de alta tenso do MOSFET da
super-junço do semicondutor de Fairchild a novo (SJ) que está
utilizando a tecnologia do equilíbrio da carga para a baixa
em-resistência proeminente e um mais baixo desempenho da carga da
porta. Esta tecnologia é costurada para minimizar a perda da
conduço, para fornecer o desempenho de comutaço superior, a taxa de
dv/dt e uma energia mais alta da avalancha. Consequentemente, o
MOSFET de SuperFET II é muito apropriado para as aplicações de
comutaço do poder tais como o adaptador do áudio, do portátil, a
iluminaço, o poder de ATX e aplicações industriais do poder.
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Pacote da eletrônica de poder TO-252AA do MOSFET de FCD2250N80Z MOSFET 800V 2.6A de SuperFET® II do N-canal
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