Porta protegida N-canal 100V 20A 24m do pacote da eletrônica de poder Power33 do MOSFET FDMC86102

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Porta protegida N-canal 100V 20A 24m do pacote da eletrônica de poder Power33 do MOSFET FDMC86102

 

 

 

Tipo do FET
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene tenso da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs
24mOhm @ 7A, 10V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @
4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
965 PF @ 50 V
Característica do FET
-
Dissipaço de poder (máxima)
2.3W (Ta), 41W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
Power33
Pacote/caso

 

 

 

Descriço geral

 

 

Este MOSFET de N−Channel é produzido usando o processo avançado do POWERTRENCH dos onsemi que incorpora a tecnologia protegida da porta. Este processo foi aperfeiçoado para a resistência do on−state no entanto para manter o desempenho de comutaço superior.

 

 


Características

 

• Tecnologia protegida do MOSFET da porta
• RDS máximo (sobre) = 24 m em VGS = 10 V, identificaço = 7A
• RDS máximo (sobre) = 38 m em VGS = 6 V, identificaço = 5 A
• − do perfil baixo 1 milímetro máximo no poder 33
• 100% UIL testado
• Este dispositivo é Pb−Free, alogenuro livre e é RoHS complacente

 

 

Aplicações


• Converso de DC−DC

 

 

 

 

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