BSZ099N06LS5ATMA1 MOSFET Power Electronics N-Channel OptiMOSTMPower-Transistor 60V Package PG-TSDSON-8 FL

Number modelo:BSZ099N06LS5ATMA1
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BSZ099N06LS5ATMA1 MOSFET Power Electronics N-Channel OptiMOSTMPower-Transistor 60VPacotePG-TSDSON-8 FL


Tipo FET
Tecnologia
MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9,9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,3V @ 14µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
3,1 nC @ 4,5 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 30 V
Recurso FET
Padro
Dissipaço de energia (máx.)
36W (Tc)
Temperatura de operaço
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TSDSON-8-FL
Pacote / Estojo

Características
• Otimizado para SMPS de alto desempenho, por exemplo, sync.rec.
•100% testado por avalanche
• Resistência térmica superior
• Canal N
• Qualificado de acordo com JEDEC1) para aplicações de destino
•Pb-livre de chumbo; compatível com RoHS
• Livre de halogênio de acordo com IEC 61249-2-21


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