IRF3710STRLPBF MOSFET Power Electronics D2PAK Package Advanced Process Technology
Number modelo:IRF3710STRLPBF
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IRF3710STRLPBF MOSFET Power Electronics Pacote D2PAK Tecnologia de processo avançada
Tipo FET | ||
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 28A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3130 pF @ 25 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 200W (Tc) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem |
Os MOSFETs de potência HEXFET® avançados da International Rectifier utilizam técnicas avançadas de processamento para obter uma resistência extremamente baixa por área de silício.Esse benefício, combinado com a velocidade de comutaço rápida e o design de dispositivo robusto pelo qual os MOSFETs de potência HEXFET so bem conhecidos, fornece ao projetista um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de aplicações.
O D2Pak é um pacote de potência de montagem em superfície capaz de
acomodar matrizes de tamanhos até HEX-4.Ele fornece a maior
capacidade de potência e a menor resistência possível em qualquer
pacote de montagem em superfície existente.O D2Pak é adequado para
aplicações de alta corrente devido sua baixa resistência de conexo
interna e pode dissipar até 2,0 W em uma aplicaço típica de
montagem em superfície.A verso com furo passante (IRF3710L) está
disponível para aplicações de baixo perfil.
Por que comprar de nós >>> Rápido / Seguro / Conveniente
• A SKL é uma empresa de estoque e comércio de componentes
eletrônicos. Nossas filiais incluem China, Hong Kong, Sigapore,
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