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Eletrônica de poder do MOSFET de IRFB4020PBF
N-canal baixo RDSON do pacote de TO-220AB para a eficiência melhorada
Tipo do FET | ||
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 100mOhm @ 11A, 10V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 4.9V @ 100µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 1200 PF @ 50 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 100W (Tc) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-220AB | |
Pacote/caso |
Características
• Os parmetros chaves aperfeiçoaram para aplicações do amplificador
audio da classe-d
• Baixo RDSON para a eficiência melhorada
• Baixos QG e QSW para melhor THD e a eficiência melhorada
• Baixo QRR para melhor THD e o mais baixo IEM
• temperatura de junço 175°C de funcionamento para a aspereza
• Pode entregar até 300W pelo canal na carga 8Ω no amplificador da
configuraço da metade-ponte
Descriço
Este MOSFET do áudio de Digitas é projetado especificamente para aplicações do amplificador audio da classe-d. As técnicas deste processamento as mais atrasadas do utilizesthe do MOSFET para conseguir a baixa em-resistência pela área do silicone. Além disso, a carga da porta, a recuperaço do corpo-diodereverse e a resistência interna da porta so aperfeiçoadas para melhorar performancefactors do amplificador audio da classe-d da chave tais como a eficiência, o THD e o IEM.
As características adicionais deste MOSFET esto a uma temperatura de junço 175°C de funcionamento e capacidade repetitiva da avalancha. Estas características combinam para fazer a este MOSFET um dispositivo altamente eficiente, robusto e seguro para aplicações do amplificador audio de ClassD.
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