IRF7769L1TRPBF MOSFET Eletrônica de Potência Pacote DirectFET N-Channel Ideal para Conversor Isolado de Alto Desempenho

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IRF7769L1TRPBF MOSFET Eletrônica de Potência

Pacote DirectFET N-Channel Ideal para Conversor Isolado de Alto Desempenho


Tipo FET
Tecnologia
MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3,5mOhm @ 74A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
11560 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipaço de energia (máx.)
3,3 W (Ta), 125 W (Tc)
Temperatura de operaço
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Pacote de dispositivos do fornecedor
DirectFET™ isométrico L8
Pacote / Estojo

Formulários



Em conformidade com RoHS, livre de halogênio
Sem chumbo (qualificado até 260°C de refluxo)
Ideal para soquete de chave primária de conversor isolado de alto desempenho
Otimizado para retificaço síncrona
Baixas perdas de conduço
Alta imunidade a Cdv/dt
Baixo perfil (<0,7 mm)
Compatível com resfriamento de dois lados
Compatível com técnicas de montagem em superfície existentes
Industrial Qualificado


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