Poder-MOSFET 60V de OptiMOSTM do N-canal da eletrônica de poder do MOSFET BSC016N06NSATMA1

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Poder-MOSFET 60V de OptiMOSTM do N-canal da eletrônica de poder do MOSFET BSC016N06NSATMA1

 

 

Tipo do FET
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene tenso da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs
1.6mOhm @ 50A, 10V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @
2.8V @ 95µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
5200 PF @ 30 V
Característica do FET
-
Dissipaço de poder (máxima)
2.5W (Ta), 139W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
PG-TDSON-8 FL
Pacote/caso

 

Características
•Optimizedforsynchronousrectification
•100%avalanchetested
•Superiorthermalresistance
•N-canal
•) Fortargetapplications QualifiedaccordingtoJEDEC1
•Pb-freeleadplating; RoHScompliant
•Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21
•Highersolderjointreliabilityduetoenlargedsourceinterconnection

 

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