AONS66920 MOSFET Power Electronics N-Channel 100V 17.5A AlphaSGT TM Pacote de alta velocidade 8-DFN

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AONS66920 MOSFET Eletrônica de Potência

Pacote N-Channel 100V 17.5A AlphaSGT TM de alta velocidade 8-DFN


Tipo FET
Tecnologia
MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8,2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipaço de energia (máx.)
5W (Ta), 56,5W (Tc)
Temperatura de operaço
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-DFN (5x6)
Pacote / Estojo
Número do produto básico


Descriço geral


• Tecnologia Trench Power AlphaSGTTM
• Baixo RDS (LIGADO)
• Conduço de Nível Lógico
• Excelente produto QG x RDS(ON) (FOM)
• Pular Processo Otimizado
• Compatível com RoHS e livre de halogênio



Formulários


• Comutaço de alta frequência e retificaço síncrona



sumario de produtos


  • VDS 100V
  • ID (em VGS=10V) 48A
  • RDS(ON) (em VGS=10V) <8,2mΩ
  • RDS(ON) (em VGS=4,5V) <10,7mΩ

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