Transistores eletrônicos de potência MOSFET AON7280 Pacote de desempenho de comutação de alta frequência 8-DFN-EP

Number modelo:AON7280
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AON7280 MOSFET Eletrônica de Potência

Pacote de desempenho de comutaço de alta frequência de transistores 8-DFN-EP


Tipo FET
Tecnologia
MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8,5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3,4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1871 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipaço de energia (máx.)
6,3W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operaço
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-DFN-EP (3,3x3,3)
Pacote / Estojo
Número do produto básico


Detalhes do produto


Descriço geral


O AON7280 usa a tecnologia trench MOSFET que é exclusivamente otimizada para fornecer o desempenho de comutaço de alta frequência mais eficiente.Tanto as perdas de energia de conduço quanto de comutaço so minimizadas devido a uma combinaço extremamente baixa de RDS(ON), Ciss e Coss.Este dispositivo é ideal para conversores boost e retificadores síncronos para consumidores, telecomunicações, fontes de alimentaço industriais e retroiluminaço LED.


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Transistores eletrônicos de potência MOSFET AON7280 Pacote de desempenho de comutação de alta frequência 8-DFN-EP

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