AO3406 MOSFET Power Electronics Discrete Semiconductor N-Channel 30V para uso como um pacote de comutação de carga SOT-23-3
Number modelo:AO3406
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1702, construção internacional de Dingcheng, estrada de Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen
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AO3406 MOSFET Eletrônica de Potência
Semicondutor discreto N-Channel 30V para uso como um pacote de comutaço de carga SOT-23-3
Tipo FET | ||
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3,6A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2,5V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 210 pF @ 15 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 1,4W (Ta) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-23-3 | |
Pacote / Estojo | ||
Número do produto básico |
Descriço geral
O AO3406 usa tecnologia de trincheira avançada para fornecer excelente RDS(ON) e baixa carga de porta.Este dispositivo é adequado para uso como um interruptor de carga ou em aplicações PWM
A. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado na placa 1in2 FR-4 com 2 onças.Cobre, em ambiente de ar parado com TA =25°C.O valor em qualquer aplicaço depende do design específico da placa do usuário.
B. A dissipaço de energia PD é baseada em TJ(MAX)=150°C, usando ≤ 10s de resistência térmica da junço ao ambiente.
C. Classificaço repetitiva, largura de pulso limitada pela temperatura de junço TJ(MAX)=150°C.As classificações so baseadas em baixa frequência e ciclos de trabalho para manter inicialTJ=25°C
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AO3406 MOSFET Power Electronics Discrete Semiconductor N-Channel 30V para uso como um pacote de comutação de carga SOT-23-3
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