AOD508 MOSFET Eletrônica de Potência Discreta Semicondutor N-Channel 30V 50W Pacote de Montagem em Superfície TO-252
Number modelo:AOD508
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalhes do produto
AOD508 MOSFET Eletrônica de Potência
Semicondutor discreto N-Channel 30V 50W Pacote de montagem em superfície TO-252
Tipo FET | ||
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2,2V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2010 pF @ 15 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 2,5 W (Ta), 50 W (Tc) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252 (DPAK) | |
Pacote / Estojo | ||
Número do produto básico |
Descriço geral
• A mais recente tecnologia Trench Power MOSFET 30V
• RDS muito baixo (ligado) em 10VGS
• Baixa carga de porto
• Alta capacidade de corrente
• Compatível com RoHS e livre de halogênio
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• Conversores DC/DC em Computaço
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AOD508 MOSFET Eletrônica de Potência Discreta Semicondutor N-Channel 30V 50W Pacote de Montagem em Superfície TO-252
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