MOSFETs dos FETs da montagem de superfície do N-canal 30V da eletrônica de poder do MOSFET AON7406 os únicos empacotam 8-DFN-EP
Number modelo:AON7406
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Eletrônica de poder do MOSFET AON7406
MOSFETs dos FETs da montagem de superfície do N-canal 30V os únicos empacotam 8-DFN-EP
Tipo do FET | ||
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 17mOhm @ 9A, 10V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 2.4V @ 250µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 888 PF @ 15 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 3.1W (Ta), 15.5W (Tc) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | 8-DFN-EP (3x3) | |
Pacote/caso | ||
Número baixo do produto |
Descriço geral
• O AON7406 usa tecnologia e projeto avançados da trincheira para fornecer o RDS excelente (SOBRE) a baixa carga da porta. Este dispositivo é apropriado para o uso em SMPS e em aplicações de uso geral.
• RoHS e complacente Halogênio-livre
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