Este Power MOSFET foi projetado para suportar alta energia nos modos de avalanche e comutaço.Projetado para aplicações de comutaço de baixa tenso e alta velocidade em fontes de alimentaço, conversores e controles de motores de potência.Esses dispositivos so particularmente adequados para circuitos de ponte onde a velocidade do diodo e as áreas operacionais seguras de comutaço so críticas e oferecem uma margem de segurança adicional contra
transientes de tenso.

Características
• Energia de avalanche especificada
• IDSS e VDS(on) especificados em temperatura elevada
• Projetado para aplicações de comutaço de baixa tenso e alta velocidade e para suportar alta energia nos modos de avalanche e comutaço
• Prefixo NVD e SVD para aplicações automotivas e outras que exigem requisitos exclusivos de mudança de local e controle;
Qualificado AEC-Q101 e compatível com PPAP
• Esses dispositivos so livres de Pb e so compatíveis com RoHS

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Tecnologia	MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	12A (Ta)
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	750 pF @ 25 V
Recurso FET	-
Dissipaço de energia (máx.)	55W (Tj)
Temperatura de operaço	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor	DPAK
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63

NTD2955T4G MOSFET Eletrônica de Potência P-Channel DPAK -60 V -12 A NVD SVD Automotivo

NTD2955T4G MOSFET Eletrônica de Potência P-Channel DPAK -60 V -12 A NVD SVD Automotivo

NTD2955T4G MOSFET Eletrônica de Potência P-Channel DPAK -60 V -12 A NVD SVD Automotivo