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Canal N PowerTrench
Tipo FET | ||
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9,5mOhm @ 10A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 70µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1140 pF @ 40 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 3,2W (Ta), 107W (Tc) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-WDFN (3,3x3,3) | |
Pacote / Estojo |
Características
• Pegada pequena (3,3 x 3,3 mm) para design compacto
• Baixo RDS(on) para minimizar as perdas de conduço
• Baixa capacitncia para minimizar as perdas do driver
• NVTFS6H850NWF - Produto de Flancos Molháveis
• Qualificado AEC-Q101 e compatível com PPAP
• Esses dispositivos so livres de Pb e so compatíveis com RoHS