FDMC6679AZ Dual-Channel N-Channel Enhancement Mode MOSFET Eletrônica de Potência para Aplicações de Alta Eficiência

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FDMC6679AZ Dual-Channel N-Channel Enhancement Mode MOSFET Eletrônica de Potência para Aplicações de Alta Eficiência

Tecnologia
MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 11,5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)
±25V
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3970 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipaço de energia (máx.)
2,3W (Ta), 41W (Tc)
Temperatura de operaço
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-MLP (3,3x3,3)
Pacote / Estojo

Lista de produtos:

Nome do produto: ON Semiconductor FDMC6679AZ N-Channel Power MOSFET

Descriço do produto: O ON Semiconductor FDMC6679AZ N-Channel Power MOSFET é um dispositivo totalmente esgotado, de baixa tenso e alta velocidade, projetado para fornecer desempenho superior, confiabilidade e baixo consumo de energia em uma ampla gama de aplicações.


Características do produto:
• Canal N
• Operaço de baixa tenso
• Comutaço de alta velocidade
• Baixo consumo de energia
• Alta capacidade de corrente
• Alta frequência de comutaço
• Baixa carga de porto
• Operaço em alta temperatura
• Baixa resistência no estado
• Compatível com RoHS


Especificações do produto:
• Classificaço de tenso: 20V
• Corrente de Drenagem Contínua: 27A
• Tenso máxima da fonte de drenagem: -30V
• Fonte de dreno na resistência: 0,0045Ω
• Tenso limite do porto: 2,5V
• Temperatura operacional máxima: 175°C
• Tipo de montagem: montagem em superfície
• Embalagem/Caixa: TO-252


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