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Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 11,5A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±25V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3970 pF @ 15 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 2,3W (Ta), 41W (Tc) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-MLP (3,3x3,3) | |
Pacote / Estojo |
Lista de produtos:
Nome do produto: ON Semiconductor FDMC6679AZ N-Channel Power MOSFET
Descriço do produto: O ON Semiconductor FDMC6679AZ N-Channel Power MOSFET é um dispositivo totalmente esgotado, de baixa tenso e alta velocidade, projetado para fornecer desempenho superior, confiabilidade e baixo consumo de energia em uma ampla gama de aplicações.
Características do produto:
• Canal N
• Operaço de baixa tenso
• Comutaço de alta velocidade
• Baixo consumo de energia
• Alta capacidade de corrente
• Alta frequência de comutaço
• Baixa carga de porto
• Operaço em alta temperatura
• Baixa resistência no estado
• Compatível com RoHS
Especificações do produto:
• Classificaço de tenso: 20V
• Corrente de Drenagem Contínua: 27A
• Tenso máxima da fonte de drenagem: -30V
• Fonte de dreno na resistência: 0,0045Ω
• Tenso limite do porto: 2,5V
• Temperatura operacional máxima: 175°C
• Tipo de montagem: montagem em superfície
• Embalagem/Caixa: TO-252