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Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 9A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 720 pF @ 15 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 2,4 W (Ta) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | 6-MicroFET (2x2) | |
Pacote / Estojo |
Lista de produtos:
ON Semiconductor FDMA8878 MOSFET Eletrônica de Potência
Características principais:
- Baixo RDS (ligado) de 0,05 Ohms
- Baixa taxa de porta
- Qg melhorado e área de operaço segura
- Capacidade de alta corrente de pico
- Baixa taxa de porta
- Troca rápida
- Compatível com RoHS
- AEC-Q101 qualificado
Formulários:
- Conversores CC/CC
- Inversores DC/AC
- Carregadores de bateria
- Fontes de alimentaço de servidor/notebook
- Aplicações automotivas
Especificações técnicas:
- Tenso da Fonte de Dreno (VDS): 600V
- Tenso Gate-Source (VGS): ±20V
- Corrente de Drenagem (ID): 58A
- RDS(ligado): 0,05 Ohms
- Dissipaço de potência máxima (PD): 115W
- Faixa de temperatura operacional: -55°C a 150°C