FDMA8878 Módulo de eletrônica de potência MOSFET para aplicações de comutação de alta corrente N-Channel POWERTRENCH 30 V 9,0 A 16

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FDMA8878 Módulo de eletrônica de potência MOSFET para aplicações de comutaço de alta corrente N-Channel POWERTRENCH 30 V 9,0 A 16 m

Tecnologia
MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
720 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipaço de energia (máx.)
2,4 W (Ta)
Temperatura de operaço
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-MicroFET (2x2)
Pacote / Estojo

Lista de produtos:

ON Semiconductor FDMA8878 MOSFET Eletrônica de Potência


Características principais:

- Baixo RDS (ligado) de 0,05 Ohms
- Baixa taxa de porta
- Qg melhorado e área de operaço segura
- Capacidade de alta corrente de pico
- Baixa taxa de porta
- Troca rápida
- Compatível com RoHS
- AEC-Q101 qualificado


Formulários:

- Conversores CC/CC
- Inversores DC/AC
- Carregadores de bateria
- Fontes de alimentaço de servidor/notebook
- Aplicações automotivas


Especificações técnicas:

- Tenso da Fonte de Dreno (VDS): 600V
- Tenso Gate-Source (VGS): ±20V
- Corrente de Drenagem (ID): 58A
- RDS(ligado): 0,05 Ohms
- Dissipaço de potência máxima (PD): 115W
- Faixa de temperatura operacional: -55°C a 150°C


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