O P-canal 2.5V do pacote da eletrônica de poder SuperSOT™-6 do MOSFET de FDC602P especificou a gestão da bateria
Number modelo:FDC602P
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FDC602P MOSFET Eletrônica de Potência
SuperSOT™-6 Package P-Channel 2.5V Especificado Gerenciamento de bateria
Status do produto | Ativo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2,5 V, 4,5 V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5,5A, 4,5V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1,5V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 4,5 V | |
Vgs (Máx.) | ±12V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1456 pF @ 10 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 1,6 W (Ta) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | SuperSOT™-6 | |
Pacote / Estojo |
Descriço geral
Este MOSFET especificado P-Channel 2.5V usa uma verso robusta do
processo PowerTrench avançado da Fairchild.Ele foi otimizado para
aplicações de gerenciamento de energia com uma ampla faixa de tenso
de acionamento de porta (2,5 V – 12 V).
Formulários
· Gerenciamento de bateria
· Interruptor de carga
· Recursos de proteço da bateria
· –5,5 A, –20 V RDS(ON) = 35 mW @ VGS = –4,5 V RDS(ON) = 50 mW @ VGS = –2,5 V
· Velocidade de comutaço rápida
· Tecnologia de valas de alto desempenho para RDS(ON) extremamente baixo
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eletrônicos. Nossas filiais incluem China, Hong Kong, Sigapore,
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