P-canal ESD do pacote 59mΩ 5A da eletrônica de poder 6-MCPH do MOSFET de MCH6341-TL-W o único Diodo-protegeu a porta

Number modelo:MCH6341-TL-W
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Eletrônica de poder do MOSFET de MCH6341-TL-W

6-MCPH o único P-canal ESD do pacote 59mΩ 5A diodo-protegeu a porta

 

 

 

 
Estado do produto
Ativo
Tipo do FET
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene tenso da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs
59mOhm @ 3A, 10V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @
2.6V @ 1mA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
430 PF @ 10 V
Característica do FET
-
Dissipaço de poder (máxima)
-
Temperatura de funcionamento
150°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
6-MCPH
Pacote/caso

 

 

 

Características

 

• Baixo RDS (sobre)
• movimentaço 4V • conformidade Pb-livre e de RoHS
• O ESD diodo-protegeu a porta

 

 

Especificações

 

Avaliações máximas absolutas em Ta=25°C

 

 

 

 

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P-canal ESD do pacote 59mΩ 5A da eletrônica de poder 6-MCPH do MOSFET de MCH6341-TL-W o único Diodo-protegeu a porta

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