IPP045N10N3GXKSA1 MOSFET Power Electronics NChannel MOSFET para aplicações de comutação
Number modelo:IPP045N10N3GXKSA1
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Potência MOSFET IPP045N10N3GXKSA1
MOSFET de canal eletrônico eletrônico para aplicações de comutaço
Tipo FET | ||
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4,5mOhm @ 100A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3,5V @ 150µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8410 pF @ 50 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 214W (Tc) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO220-3 | |
Pacote / Estojo |
Descriço:
O IPP045N10N3GXKSA1 MOSFET é projetado para aplicações de comutaço de alta velocidade.É um MOSFET de modo de aprimoramento N-Channel com uma energia de avalanche classificada de 70mJ, uma classificaço de corrente de dreno de 45A, uma resistência de estado de fonte de dreno de 0,010 Ohm e uma classificaço de carga de porta de 31nC.Ele também tem uma tenso limite de 2,0 V e uma carga total de porta de 46 nC.
Além disso, apresenta uma tenso máxima dreno-fonte de 45 V, uma resistência máxima no estado de dreno-fonte de 0,013 Ohm e uma tenso máxima de porta-fonte de 20 V.O MOSFET está alojado em um pacote PowerPAK SO-8N, que é compatível com RoHS. Este é um MOSFET de canal N com uma tenso máxima dreno-fonte de 100V.Tem um RDS(on) de 0,45Ω e um ID de 45A.É ideal para aplicações de comutaço de alta velocidade.
Características:
• Tenso máxima dreno-fonte: 100V
• RDS(ligado): 0,45Ω
• Identificaço: 45A
• Velocidade de comutaço rápida
• Baixa tenso de limiar de porta
• Baixa resistência no estado
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IPP045N10N3GXKSA1 MOSFET Power Electronics NChannel MOSFET para aplicações de comutação
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