MOSFET Power Electronics MGSF2N02ELT1G Pacote SOT-23 2,8 A 20 VN Modo de aprimoramento de canal MOSFET Transistor

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MSOFETPoderEletrônicosMGSF2N02ELT1G Pacote SOT-23 2,8 A 20 VN Modo de aprimoramento de canal Transistor MOSFET


Tipo FET
Tecnologia
MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
2,5 V, 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 3,6A, 4,5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
3,5 nC @ 4 V
Vgs (Máx.)
±8V
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
150 pF @ 5 V
Recurso FET
-
Dissipaço de energia (máx.)
1,25W (Ta)
Temperatura de operaço
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Estojo

Esses MOSFETs de montagem em superfície em miniatura garantem baixo RDS(on)

mínima perda de energia e economia de energia, tornando esses dispositivos ideais

para uso em circuitos de gerenciamento de energia sensíveis ao espaço.


Características

• Baixo RDS(on) Proporciona Maior Eficiência e Prolonga a Vida Útil da Bateria

• O pacote de montagem em superfície SOT-23 miniatura economiza espaço na placa

• IDSS especificado em temperatura elevada

• Qualificado AEC Q101 e compatível com PPAP − MVSF2N02EL

• Esses dispositivos so livres de Pb e so compatíveis com RoHS


Formulários

• Conversores DC-DC

• Gerenciamento de energia em produtos portáteis e movidos a bateria, ou seja:

Computadores, impressoras, cartões PCMCIA, celular e sem fio

Telefones


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