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MSOFETPoderEletrônicosMGSF2N02ELT1G Pacote SOT-23 2,8 A 20 VN Modo de aprimoramento de canal Transistor MOSFET
Tipo FET | ||
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2,5 V, 4,5 V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3,6A, 4,5V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3,5 nC @ 4 V | |
Vgs (Máx.) | ±8V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 5 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 1,25W (Ta) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
Pacote / Estojo |
Esses MOSFETs de montagem em superfície em miniatura garantem baixo RDS(on)
mínima perda de energia e economia de energia, tornando esses dispositivos ideais
para uso em circuitos de gerenciamento de energia sensíveis ao espaço.
Características
• Baixo RDS(on) Proporciona Maior Eficiência e Prolonga a Vida Útil da Bateria
• O pacote de montagem em superfície SOT-23 miniatura economiza espaço na placa
• IDSS especificado em temperatura elevada
• Qualificado AEC Q101 e compatível com PPAP − MVSF2N02EL
• Esses dispositivos so livres de Pb e so compatíveis com RoHS
Formulários
• Conversores DC-DC
• Gerenciamento de energia em produtos portáteis e movidos a bateria, ou seja:
Computadores, impressoras, cartões PCMCIA, celular e sem fio
Telefones