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Canal P Único (–1,5 V) PowerTrench especificado® MOSFETCanal P Único (–1,5 V) PowerTrench especificado® FDC658AP MOSFET Eletrônica de Potência Canal P Único POWERTRENCH Nível Lógico -30 V -4 A 50 m
Canal P 1.8V PowerTrench especificado MOSFET–20 V, –0.83 A, 0,5 Ω
–20 V, –0.83 A, 0,5 ΩCanal P Único (–1,5 V) PowerTrench especificado® MOSFET–20 V, –0.83 A, 0,5
Tipo FET | ||
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 4A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8,1 nC @ 5 V | |
Vgs (Máx.) | ±25V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 15 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 1,6 W (Ta) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | SuperSOT™-6 | |
Pacote / Estojo |
Descriço geral
Este MOSFET de Nível Lógico P-Channel é produzido usando onsemi
processo POWERTRENCH avançado.Foi otimizado para bateria
aplicações de gerenciamento de energia.
Características
• Max RDS(on) = 50 m @ VGS = −10 V, ID = −4 A
• Max RDS(on) = 75 m @ VGS = −4,5 V, ID = −3,4 A
• Baixa carga de porto
• Tecnologia de trincheira de alto desempenho para RDS(ligado)
extremamente baixo
• Livre de Pb, Livre de Haletos e Compatível com RoHS
Formulários
• Gerenciamento de bateria
• Interruptor de Carga
• Proteço da bateria
• Converso DC-DC