IRF8788TRPBF Mosfet em eletrônica de potência de alta tensão e corrente nominal
Number modelo:IRF8788TRPBF
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IRF8788TRPBF MOSFET Eletrônica de Potência
Descriço do produto: O IRF8788TRPBF é um dispositivo eletrônico de potência MOSFET avançado.Ele é projetado para fornecer desempenho superior em aplicações que requerem comutaço de alta corrente e tenso.Possui baixa resistência e velocidade de comutaço rápida, tornando-o ideal para aplicações de gerenciamento de energia de alta corrente.
Características:
• Baixa resistência
• Velocidade de comutaço rápida
• Alta capacidade de corrente
• Proteço ESD (±20kV HBM)
• reduço de EMI
• Proteço de desligamento térmico
• Sem chumbo, compatível com RoHS
Classificações Máximas Absolutas:
• Tenso da Fonte de Dreno (VDS): 100V
• Tenso da Fonte do Gate (VGS): ±20V
• Corrente de Drenagem (ID): 10A
• Dissipaço de energia (PD): 0,5W
• Faixa de temperatura operacional (TJ): -55 a 150°C
• Faixa de temperatura de armazenamento (Tstg): -55 a 150°C
Pacote: D2PAK
Fabricante: Infineon Technologies
Status do produto | Ativo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2,8mOhm @ 24A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2,35V @ 100µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 4,5 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5720 pF @ 15 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 2,5W (Ta) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SO | |
Pacote / Estojo | ||
Número do produto básico |
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