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Lista de produtos de eletrônica de potência MOSFET IRL60HS118
Nome do produto: IRL60HS118 MOSFET Power Electronics
Descriço: Este MOSFET foi projetado para uso em aplicações de alta frequência, como comutaço de fontes de alimentaço, acionamentos de motores e amplificadores de potência.Oferece excelente desempenho de comutaço, com baixa resistência, baixa carga de porta e alta velocidade de comutaço.
Características e Benefícios:
• Baixa resistência: Fornece baixa perda de conduço e maior
eficiência
• Baixa carga do porto: permite um tempo de comutaço rápido
• Operaço de alta frequência: Ideal para aplicações de comutaço de
alta frequência
• Compatível com RoHS: está em conformidade com os regulamentos
ambientais RoHS
Especificações:
• Tenso da Fonte de Dreno (Vdss): 400V
• Corrente de Drenagem Contínua (Id): 15A
• Tenso da Fonte de Gate (Vgs): ±20V
• Dissipaço de energia (Pd): 135W
• Faixa de temperatura operacional: -55°C a +175°C
• Estilo da caixa do transistor: TO-220AB
• Tipo de Canal: N-Channel.
Status do produto | Ativo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 11A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2,3V @ 10µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 4,5 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 25 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 11,5W (Tc) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | 6-PQFN (2x2) | |
Pacote / Estojo | ||
Número do produto básico |
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