IRL60HS118 MOSFET Mosfet In Power Electronics Alta Tensão Alta Corrente Baixa Resistência

Number modelo:IRL60HS118
Lugar de origem:Multi-origem
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Capacidade da fonte:999999
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Lista de produtos de eletrônica de potência MOSFET IRL60HS118


Nome do produto: IRL60HS118 MOSFET Power Electronics

Descriço: Este MOSFET foi projetado para uso em aplicações de alta frequência, como comutaço de fontes de alimentaço, acionamentos de motores e amplificadores de potência.Oferece excelente desempenho de comutaço, com baixa resistência, baixa carga de porta e alta velocidade de comutaço.


Características e Benefícios:


• Baixa resistência: Fornece baixa perda de conduço e maior eficiência
• Baixa carga do porto: permite um tempo de comutaço rápido
• Operaço de alta frequência: Ideal para aplicações de comutaço de alta frequência
• Compatível com RoHS: está em conformidade com os regulamentos ambientais RoHS


Especificações:


• Tenso da Fonte de Dreno (Vdss): 400V
• Corrente de Drenagem Contínua (Id): 15A
• Tenso da Fonte de Gate (Vgs): ±20V
• Dissipaço de energia (Pd): 135W
• Faixa de temperatura operacional: -55°C a +175°C
• Estilo da caixa do transistor: TO-220AB
• Tipo de Canal: N-Channel.


Status do produto
Ativo
Tipo FET
Tecnologia
MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,3V @ 10µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 4,5 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
660 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipaço de energia (máx.)
11,5W (Tc)
Temperatura de operaço
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-PQFN (2x2)
Pacote / Estojo
Número do produto básico

Por que comprar conosco >>>Rápido / Seguro / Conveniente


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