Mosfet de IRFB7740PBF na capacidade atual alta de alta tensão da eletrônica de poder
Number modelo:IRFB7740PBF
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Capacidade da fonte:999999
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalhes do produto
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Detalhes do produto
A eletrônica de poder do MOSFET de IRFB7740PBF é um dispositivo de capacidade elevada, eficaz na reduço de custos que caracterizam uma baixa em-resistência, uma velocidade de comutaço alta, e um desempenho de alta frequência. Este dispositivo é ideal para as aplicações que exigem o interruptor eficiente, seguro, e de alta potência.
Especificações de produto:
• Tenso máxima da Dreno-fonte: 100V
• Tenso máxima da Porta-fonte: 20V
• Corrente contínua do dreno: 30A
• Corrente máxima do pulso: 190A
• Em-resistência máxima da Dreno-fonte: 0.036Ω
• Variaço da temperatura de funcionamento: -55°C a 150°C
• Pacote: TO-220AB
• RoHS complacente
Estado do produto | Ativo | |
Tipo do FET | ||
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | ||
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | ||
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 7.3mOhm @ 52A, 10V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 3.7V @ 100µA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 122 nC @ 10 V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 4650 PF @ 25 V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 143W (Tc) | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Montando o tipo | ||
Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-220AB | |
Pacote/caso | ||
Número baixo do produto |
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