Mosfet de IRFB4229PBF em de pequenas perdas de alta frequência atual alto da eletrônica de poder

MOSFET do poder de IRFB4229PBF

Características do produto:

• Modo do realce do N-canal
• 100V, 37A, RDS (sobre) = 0.065Ω
• Baixa carga da porta (tipo. 11nC)
• Baixo Crss (tipo. 0.13A)
• Interruptor rápido
• RoHS complacente
• Sem chumbo
• Halogênio-livre

Descriço do produto:

O IRFB4229PBF é um MOSFET do N-canal projetado para aplicações de comutaço do poder. Caracteriza uma em-resistência de 0.065Ω, uma avaliaço atual de 37A, e uma tenso de funcionamento de 100V. O dispositivo tem uma baixa carga da porta de 11nC e de um baixo Crss de 0.13A. É RoHS complacente e sem chumbo/Halogênio-livre.

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