Mosfet de IRFIZ44NPBF tensão de alta temperatura do elevado desempenho da eletrônica de poder na baixa

Number modelo:IRFIZ44NPBF
Lugar de origem:Multi-origem
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Capacidade da fonte:999999
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Shenzhen China
Endereço: 1702, construção internacional de Dingcheng, estrada de Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen
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Lista do produto:

 

IRFIZ44NPBF - eletrônica de poder do MOSFET do N-canal

 

•Ideal para aplicações automotivos, industriais e dos produtos eletrónicos de consumo
•VDS (v): 30V
•RDS (sobre) (Ω): 0.071Ω
•Qg (típico): 11.8nC
•Qgs (típico): 2.1nC
•Qgd (típico): 10.3nC
•Paládio (máximo): 16.2W
•Pacote/caso: TO-220-3L
•Montando o tipo: Através do furo

 

 

Estado do produto
Ativo
Tipo do FET
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene tenso da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On)
10V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs
24mOhm @ 17A, 10V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @
4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
1300 PF @ 25 V
Característica do FET
-
Dissipaço de poder (máxima)
45W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
TO-220AB Completo-Pak
Pacote/caso
Número baixo do produto

 

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