Mosfet de IRF6613TRPBF Em-resistência de alta frequência da eletrônica de poder na baixa

Number modelo:IRF6613TRPBF
Lugar de origem:Multi-origem
Quantidade de ordem mínima:1
Termos do pagamento:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte:999999
Prazo de entrega:1-7days
Contate

Add to Cart

Fornecedor verificado
Shenzhen China
Endereço: 1702, construção internacional de Dingcheng, estrada de Zhonghang, distrito de Futian, Shenzhen
Fornecedor do último login vezes: No 38 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto

Eletrônica de poder do MOSFET de IRF6613TRPBF

 

Descriço do produto:


O IRF6613TRPBF é um dispositivo eletrónico do poder do MOSFET do modo do realce do N-canal, projetado para aplicações de comutaço de alta frequência. Este dispositivo oferece a baixa em-resistência e a capacidade de carga atual alta, fazendo lhe uma escolha ideal para a gesto do poder e a converso de circuitos de alta frequência.

 

Características:


• Baixa Em-resistência
• Capacidade de carga atual alta
• Interruptor de alta frequência
• RoHS complacente

 

Especificações:


• Polaridade: N-canal
• Tenso: 30V
• Drene tenso da fonte (Vdss): 30V
• Tenso do ponto inicial da porta (Vgs): -4V
• Drene a corrente (identificaço): -6A
• Corrente contínua do dreno (identificaço): -6A
• Dissipaço de poder (paládio): 130W
• Estilo da caixa do transistor: TO-220AB
• No. dos pinos: 3
• Variaço da temperatura de funcionamento: -55°C a +150°C

 

 

Estado do produto
Ativo
Tipo do FET
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene tenso da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs
3.4mOhm @ 23A, 10V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @
2.25V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
63 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
5950 PF @ 15 V
Característica do FET
-
Dissipaço de poder (máxima)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
TA DE DIRECTFET™
Pacote/caso
Número baixo do produto

 

Porque compra de nós rapidamente do >>>/com segurança/convenientemente


• SKL é um depositário conservado em estoque e uma empresa de comércio de componentes eletrônicos. Nosso escritório de ramos inclui China, Hong Kong, Sigapore, Canadá. Negócio, serviço, resourcing e informaço da oferta para nosso membro global.
• Os bens so assegurados o possível o mais de alta qualidade e entregados a nossos clientes pelo mundo inteiro com velocidade e preciso.

 

Como comprar o >>>


• Contacte-nos pelo e-mail & enviou o seu inquirem com seu destino do transporte.
• O bate-papo em linha, o comissário seria respondido O MAIS CEDO POSSÍVEL.

 

>>> do serviço


• A expediço do remetente ao comprador mundial, de DHL, de TNT, de UPS, de FEDEX etc. no precisa de preocupar-se sobre o problema de envio
• Nós tentaremos responder o mais rapidamente possível. Mas devido diferença do fuso horário, reserve por favor até 24 horas obter seu correio respondido. Os produtos foram testados por alguns dispositivos ou software, nós asseguramo-nos de que no haja nenhum problema da qualidade.
• Nós somos cometidos ao serviço rápido, conveniente e seguro do fornecimento do transporte ao comprador global.

 

China Mosfet de IRF6613TRPBF Em-resistência de alta frequência da eletrônica de poder na baixa supplier

Mosfet de IRF6613TRPBF Em-resistência de alta frequência da eletrônica de poder na baixa

Inquiry Cart 0