Power Mosfet IPD60R2K1CEAUMA1 Alta potência com baixa resistência na comutação de energia
Number modelo:IPD60R2K1CEAUMA1
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IPD60R2K1CEAUMA1 MOSFET Eletrônica de Potência
Descriço do produto:
O IPD60R2K1CEAUMA1 é um Power MOSFET de canal N, otimizado para
aplicações de comutaço de energia.Este dispositivo foi projetado
usando a avançada tecnologia Trench MOSFET para excelente RDS(ON) e
baixa carga de gate.Ele fornece desempenho de comutaço superior com
tempos de comutaço rápidos e carga de porta de baixo nível.Com uma
ampla gama de VDSS, este dispositivo é adequado para uma variedade
de aplicações de energia.
Características:
• MOSFET de potência de canal N
• Tecnologia Trench MOSFET avançada
• Otimizado para aplicações de comutaço de energia
• Baixo RDS (LIGADO)
• Baixa carga de porto
• Tempos de comutaço rápidos
• Carga de porto de baixo nível
• Ampla gama de VDSS
• Adequado para uma variedade de aplicações de energia
Especificações:
• Tenso da Fonte de Dreno (VDSS): 60V
• Corrente de Drenagem (ID): 2A
• RDS(ON): 1,45mΩ
• Tenso da Fonte do Gate (VGS): ±20V
• Máxima Dissipaço de Potência (PD): 2,2W
• Temperatura de operaço: -55°C a +150°C
Status do produto | Ativo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2,1Ohm @ 760mA, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3,5V @ 60µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6,7 nC @ 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 100 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 38W (Tc) | |
Temperatura de operaço | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO252-3 | |
Pacote / Estojo | ||
Número do produto básico |
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Power Mosfet IPD60R2K1CEAUMA1 Alta potência com baixa resistência na comutação de energia
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