IRFB4019PBF Power Mosfet Interruptores de alimentação confiáveis de alto desempenho
Number modelo:IRFB4019PBF
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Capacidade da fonte:999999
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IRFB4019PBF MOSFET Eletrônica de Potência
Descriço do produto:
O IRFB4019PBF é um dispositivo eletrônico de potência MOSFET baseado em silício de alto desempenho da International Rectifier.É um transistor bipolar de porta isolada (IGBT) controlado por tenso, projetado para fornecer desempenho superior em fontes de alimentaço e outras aplicações de converso de energia.Este dispositivo está disponível em um pacote TO-220AC com uma almofada térmica estendida.
Características:
• Baixa resistência no estado (RDS(on))
• Baixa carga de porto (Qg)
• Baixa capacitncia gate-source (Ciss)
• Temperatura máxima da junço (Tjmax) de 175°C
• Dreno máximo para tenso de fonte (VDS) de 600V
• Corrente de dreno máxima (ID) de 60A
• Faixa de temperatura operacional de -55°C a 175°C
• Livre de Pb, compatível com RoHS
Aplicativo:
O IRFB4019PBF é adequado para uso em uma ampla gama de aplicações, como fontes de alimentaço, inversores de energia solar, controladores de motores e outras aplicações de converso de energia.
Status do produto | Ativo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 10A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4,9V @ 50µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 50 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 80W (Tc) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220AB | |
Pacote / Estojo | ||
Número do produto básico |
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