Common Power Mosfet SPD08P06PGBTMA1 8A 60V N Channel MOSFET transistor de efeito de campo
Number modelo:SPD08P06PGBTMA1
Lugar de origem:Multi-origem
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Capacidade da fonte:999999
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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Detalhes do produto
Esta listagem é para um SPD08P06PGBTMA1 Power Electronics MOSFET.Este MOSFET é um transistor de efeito de campo de potência de modo de aprimoramento de canal N de nível lógico e possui os seguintes parmetros:
Tipo: MOSFET Power Electronics
Número da peça: SPD08P06PGBTMA1
Tenso: 8 V
Corrente: 60 A
Queda de Tenso: 0,20 V
Tipo de embalagem: TO-220
RDS(ON): 0,037 Ohms
Pd: 6,75 W
Configuraço: Único
Temperatura de operaço: -55°C a 175°C
Status do produto | Ativo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6,2V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 10A, 6,2V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 25 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 42W (Tc) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO252-3 | |
Pacote / Estojo | ||
Número do produto básico |
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