BSC0901NSATMA1Common Power Mosfet Module Alta eficiência e confiabilidade
Number modelo:BSC0901NSATMA1
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BSC0901NSATMA1 MOSFET Eletrônica de Potência
Descriço do produto:
O BSC0901NSATMA1 é um dispositivo eletrônico de potência MOSFET de alto desempenho projetado para fornecer desempenho de comutaço e fornecimento de energia superiores.Construído com tecnologia de silício sobre isolador (SOI), é ideal para aplicações como controle de motores, energia digital, fontes de alimentaço comutadas e inversores de células solares.Oferece baixa carga de porta, baixa resistência, operaço de alta frequência e excelente gerenciamento térmico.
Características do produto:
• Operaço de alta frequência
• Baixa carga de porto
• Baixa resistência
• Excelente gerenciamento térmico
• Tecnologia de silício sobre isolador (SOI)
• Tenso máxima dreno-fonte de 600V
• Corrente máxima de pico de 40A
• Máxima dissipaço de energia de 500W
Status do produto | Ativo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | MOSFET (Óxido Metálico) | |
Dreno para Tenso da Fonte (Vdss) | ||
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | ||
Tenso do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1,9mOhm @ 30A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2,2V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Capacitncia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 15 V | |
Recurso FET | - | |
Dissipaço de energia (máx.) | 2,5 W (Ta), 69 W (Tc) | |
Temperatura de operaço | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | ||
Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TDSON-8-5 | |
Pacote / Estojo | ||
Número do produto básico |
Por que comprar conosco >>>Rápido / Seguro / Conveniente
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eletrônicos. Nossas filiais incluem China, Hong Kong, Sigapore,
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BSC0901NSATMA1Common Power Mosfet Module Alta eficiência e confiabilidade
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